Фотодиод ФД-299М
Описание
Кремниевый четырехэлементный матричный p-n фотодиод ФД-299М применяется для датчиков ближнего ИК-излучения
Отличительные особенности
- повышенная стойкость к ионизационным излучениям;
- негерметичное безкорпусное исполнение.
|
Наименование параметра |
Значение |
|
Площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мм2 |
2х2 |
|
Режим работы - фотогальванический, без подачи напряжения смещения. Токовая интегральная чувствительность каждого ФЧЭ при напряжении смещения Uсм= 0 В, мА/лм, не менее |
3,6 |
|
Область спектральной чувствительности, мкм |
0,4-1,0 |
|
Емкость каждого ФЧЭ при Uсм= 0 В, пФ, не более |
60 |
рис. 1 - Габаритные размеры фотодиода ФД-299М
